多晶Si0.9654Mn0.0346:B薄膜的磁性研究

摘要：

利用磁控溅射和快速热处理的方法制备了Mn,B共掺的多晶硅薄膜(Si0.9654Mn0.0346:B).磁性和结构研究发现薄膜有两个铁磁相.低温铁磁相来源于杂相Mn4Si7,高温铁磁相(居里温度TC～250K)是由Mn原子掺杂进入Si晶格导致.晶化后的薄膜利用射频等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)进行短暂(4min)的氢化处理后发现,薄膜的微结构没有发生变化而饱和磁化强度却随着载流子浓度的增大而增大.样品的饱和磁化强度和载流子浓度密切相关为验证在硅基磁半导体中磁性是以空穴为媒介的这一理论提供了有力的证据.

关键词：磁性半导体、硅、氢化

所属期刊栏目：57

分类号：TN3;O4(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划

在线出版日期：2009-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：7262-7266