6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

摘要：

采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100-1250℃),不同GeH4流量比(6.3%-25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化.X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%-O.62%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高.此外还定性分析了样品中的反相边界(APB)缺陷.

关键词：碳化硅、化学气相沉积、反相边界、岛状生长

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分类号：TN3;O48

资助基金：国家自然科学基金60576044;高等学校博士学科点专项科研基金20040700001;中国博士后科学基金20070411137资助的课题

在线出版日期：2008-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6007-6012