p型ZnO薄膜的制备及特性

摘要：

采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5 Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.

关键词：离子注入、p型ZnO薄膜、退火、射频磁控溅射

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：重庆市教委资助项目KJ050812

在线出版日期：2007-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5974-5978