GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

摘要：

研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的A1GaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148 V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着.比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.

关键词：GaN、场板、击穿电压、电流崩塌

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51327020301;2002CB311904;陕西省西安市科技计划XA-AM-200616

在线出版日期：2007-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2900-2904