高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

摘要：

就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V提高到了142 V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

关键词：A1GaN/GaN、HEMT、场板、击穿电压

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51327020301;2002CB311904;陕西省西安市科技计划XA-AM-200616

在线出版日期：2007-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2895-2899