变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级

摘要：

利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.

关键词：碲镉汞、液相外延、汞空位、反常吸收

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60676063;60221502;上海市科委资助项目05ZR14133;06JC14072

在线出版日期：2007-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2878-2881