期刊专题

10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.063

一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性

引用
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体系的直流电导率随着格点能量无序度的增大而减小;当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,从而使体系的直流电导率增大;温度对体系的电子输运的影响表现为体系的直流电导率随温度的升高而增大;在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增长很快,呈现出非欧姆定律特性,但在弱场区外场的作用不明显.

二元无序体系、跳跃电导、格点能量无序度、非对角关联

56

O4(物理学)

高等学校博士学科点专项科研项目20020533001;湖南省自然科学基金05JJ40135

2007-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

2852-2857

暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

56

2007,56(5)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn