硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

摘要：

以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.

关键词：Cu-In预置膜、共溅射、硒化、CIS膜

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：北京科技大学"422高层次创新人才工程"项目00007411

在线出版日期：2007-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：574-582