脉冲激光沉积制备的Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的结构与磁性

摘要：

用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态逐步向晶态转化,并且计算了Ti90Cr10薄膜的晶粒大小以及晶格常数.利用透射电镜对Ti90Cr10薄膜进行了表面和截面形貌的表征.采用纳米压痕仪对Ti90Cr10薄膜的硬度和膜基界面结合力进行了分析,表明薄膜的硬度和膜基结合力随制备条件改变有所变化,制备温度增加,薄膜的硬度和膜基结合力随之增加.利用Ti90Cr10薄膜作为中间层,用PLD制备了Co80Cr20磁性层,获得了很好的垂直磁化性质,膜厚减小,矫顽力和矩形比有所增加,600℃真空条件下制备的Co80Cr20(8 nm)/Ti90Cr10(14 nm)薄膜的矫顽力为65.25 kA/m,矩形比为0.86,并且讨论了Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的磁化性质.

关键词：磁性薄膜、Ti90Cr10、界面结合力、Co80Cr20

所属期刊栏目：56

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：522-528