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10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.085

Er3+注入CdTe薄膜的结构和光电性能研究

引用
采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表明,适当的掺杂量可以改善CdTe薄膜的结晶性能,降低晶界势垒高度,提高其导电性能.在一定掺杂范围内掺Er3+对CdTe薄膜的光能隙影响不大.

CdTe薄膜、离子注入、晶界势垒、光能隙

55

O6(化学)

2007-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

6684-6690

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

55

2006,55(12)

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