填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

摘要：

CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.

关键词：非弹性中子散射、填充式方钴矿、近藤绝缘体

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2007-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6643-6646