稳定的GaAs(2 5 11)高密勒指数表面的电子结构

摘要：

采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算.结果表明:对于理想的GaAs(2 5 11)表面,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域,即-0.1-0.1eV,0.85-1.0eV和1.4-1.6eV之间;吸附两个As原子形成(1×1)再构后,表面态的变化主要表现在0.85-1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则,可以确定处在-0.1-0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的As-As二聚体键的表面态,而处在1.4-1.6eV的表面态为阳离子空的悬挂键态.

关键词：高密勒指数表面、电子结构、电子数目规则

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：河南省自然科学基金0111050400

在线出版日期：2004-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3515-3520