用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

摘要：

用拉曼散射谱研究以SiCl4/H2为气源,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术,在200℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征.结果表明,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物,随射频功率增加,晶相结构的成分增大.另一方面,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大.因此可以认为,在多晶硅薄膜生长的最初阶段,空间反应过程对低温晶化起重要作用.

关键词：拉曼散射光谱、多晶硅薄膜、微结构

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028208

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1558-1561