六方InN薄膜的载流子输运特性研究

摘要：

通过变温(10-300K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs(111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程.在晶界势垒模型的基础上,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度,载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的.从获得的InN薄膜晶界势垒高度,可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度,结果与显微拉曼散射实验结果相一致,这进一步说明了晶界势垒模型适用于描述InN中的载流子输运特性.

关键词：InN薄膜、载流子输运、晶界势垒模型、拉曼散射

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金NSFC10125416

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1501-1506