C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响

摘要：

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的电学性质.发现对于不同C-Fx含量的薄膜,C=C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响.薄膜的直流I-V特性呈现I=aV+bVn规律,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程.由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关,而a-C:F薄膜中C=C的含量决定带尾态密度的分布,因此a-C:F薄膜在高场下的空间电荷限流是由薄膜中C=C决定的导电过程.

关键词：氟化非晶碳(a-C:F)薄膜、直流伏安特性、C=C双键

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：江苏省重点实验室基金K.JS01012;国家自然科学基金10175048

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1496-1500