基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较

摘要：

采用Monte Carlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟,分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响,发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长.

关键词：Monte Carlo模拟、单电子存储器、存储时间

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：教育部高校骨干教师资助计划GG-140-10511-1009;湖北省自然科学基金

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1483-1489