GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性

摘要：

采用飞秒时间分辨瞬态简并四波混频技术,在室温下测量了GaAs体材料及其量子阱材料GaAs/Al0.3Ga0.7As的光学极化超快退相时间,当激光中心波长为785nm,受激载流子浓度为1011cm-2时,它们的退相时间分别为28fs和46fs.量子阱材料的退相时间比体材料的长,这是由于量子阱中的载流子在垂直于GaAs/AlGaAs界面的运动受到限制,运动呈现二维特性,大大减小了载流子的散射概率.实验中观察到瞬态简并四波混频信号的强弱与入射光的强度和偏振方向有关,利用三阶非线性密度矩阵元的理论模型解释了这些实验现象.

关键词：时间分辨简并四波混频、飞秒激光脉冲、退相、密度矩阵

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60178020,69888005,10274107;广东省自然科学基金011204 和2002B1160

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：640-645