微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

摘要：

利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮(NCZ)和不含氮(CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小,并有冲出型位错产生.而在CZ中,生成了大量的多面体氧沉淀,并且随着热氧化时间的延长,层错的尺寸逐渐增大.

关键词：直拉硅、透射电镜、氧化诱生层错

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50032010;国家高技术研究发展计划863计划2002AA31

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：550-554