InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究

摘要：

利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.

关键词：柱形岛、生长停顿、间隔层厚度、PL谱

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000068303;国家自然科学基金60076024、90101002、90201033;国家高技术研究发展计划863计划2002AA311070;中国科学院知识创新工程项目KJCX1-06-06

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：301-305