大规模集成电路总剂量效应测试方法初探

摘要：

提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH ROM)和微处理器(CPU)的60Co γ总剂量效应实验的结果.

关键词：测试方法、总剂量效应、大规模集成电路

所属期刊栏目：53

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国防预研基金98J12.1.9

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：194-199