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10.3321/j.issn:1000-3290.2003.04.039

nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射

引用
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML);利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并观察到室温下的蓝光发射;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性;通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究,探讨了蓝光发射的起源.

纳米硅多层膜、等离子体氧化、蓝光发射、热退火

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O4(物理学)

国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划973计划10174035,90101020,2001CB610503;江苏省自然科学基金BK2001028和BG2001002

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

989-992

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

52

2003,52(4)

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