La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

摘要：

测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=0.10,0.20,0.25)的电阻率和热电势.La1.9Sr0.1CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-Δ/T)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较.

关键词：薄膜、输运性质、热电势

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G19990646

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：663-667