Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

摘要：

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Sj(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小.

关键词：扫描隧道显微镜、Si(111)7×7表面、Ge团簇

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金6977001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2132-2136