用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导

摘要：

报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应,而且光响应弛豫时间也较短.在弱光范围,光响应随光强的变小呈线性减弱,且光响应的弛豫时间变长.

关键词：GaN、MOCVD、光电导、光响应

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y96A12016

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1800-1804