掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

摘要：

研究了掺杂纳米硅薄膜(nc-：Si：H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态。样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成，为两相结构，即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中。对掺磷的nc-Si：H样品，测量出其ESR信号的g值为1 9990—1.9991，线宽△Hpp为(40—42)×10-4T，ESR密度Nss为1017cm-3数量级。对掺硼的nc-Si：H样品，其ESR信号的g值为2.0076—2.0078，△Hpp约为18×10-4T，Nss为1016 cm-3数量级。结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析，对上述ESR来源，其线宽及密度等进行了解释。认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒/非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子，而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a-Si：H结缔组织的价带带尾态上的未配对电子。

关键词：纳米硅薄膜、微结构、电子自旋共振

所属期刊栏目：50

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金59832100和E020901

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：512-516