第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

摘要：

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热300℃,纯Ar气氛下制备的用Y2O3稳定的ZrO2薄膜材料(简称YSZ薄膜),发现了YSZ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响.简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的制备方法.

关键词：慢正电子束、ZrO2(Y2O3)薄膜、表面缺陷

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1352-1355