CuInS2量子点阻变效应

摘要：

采用改进的热分解法制备了具有半导体效应的CuInS2量子点,量子点尺寸均匀、大小为4.2 nm.组装的Au/CuInS2/FTO阻变存储器件表现出典型的双极性阻变特点,其开态电压为-3.8 V,关态电压为4V,ON/OFF开关比约为103.对器件的I-V特性曲线线性拟合发现,器件的阻变机制在高阻态时表现为空间限制电荷(SCLC)传导机制,在低阻态时表现为欧姆传导机制.器件的阻变特性主要是由于电荷被CuInS2薄膜中的缺陷产生的势阱捕获导致.通过调节陷阱势垒高度引起电荷在陷阱中移动,导致导电通路的产生和断裂,使器件处于高阻态和低阻态.

关键词：量子点、半导体、阻变开关、SCLC传导机制、陷阱势垒高度

所属期刊栏目：36

分类号：O614.36(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金;教育部装备预研联合基金

在线出版日期：2020-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2093-2099