脉冲激光沉积制备非晶La0.75Sr0.25MnO3薄膜用于半透明阻变存储器

摘要：

用脉冲激光沉积方法制备非晶La0.75Sr0.25MnO3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为.ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件.通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝.器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂.

关键词：阻变存储器、锰氧化物、脉冲激光沉积、钙钛矿

所属期刊栏目：34

分类号：O614.33+1;O614.23+2;O614.7+11(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金No.21427802,21671076资助项目.This work was supported by the National Natural Science Foundation of China Grants 21427802,21671076

在线出版日期：2018-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：784-790