模板法制备CdSe纳米材料及其光电性能

摘要：

采用电化学沉积法,在阳极氧化铝(AAO)模板中成功制备出CdSe纳米管和纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线光谱仪(EDS)对材料的形貌、结构和元素组成进行了表征.借助紫外-可见吸收光谱等对材料光催化活性进行了研究.结果表明:通过控制沉积电量可成功制备CdSe纳米管和纳米线;CdSe纳米材料为立方晶型与六方晶型的混合,经350℃退火处理后,CdSe纳米材料中由立方晶型向六方晶型转变,光照开路电位差值明显增强,在0 V(vs SCE)电位下的光照电流密度也有所提高,光电转换性能增强;CdSe纳米线的吸收边在710 nm左右,禁带宽度约为1.85 eV,CdSe纳米管相对于CdSe纳米线具有更高的光电转换性能和光催化活性,经7h光照后,罗丹明B降解效率高达53.93％.另外,本文还讨论了CdSe纳米材料在AAO模板孔壁的生长机理.

关键词：CdSe纳米材料、退火、光催化、电沉积

所属期刊栏目：33

分类号：O614.24+2(无机化学)

资助基金：天津市自然科学基金11JCYBJC01900

在线出版日期：2018-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2271-2277