金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程

摘要：

金属氧化物薄膜如HfO2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中.具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化.过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H2O或O3的反应生成金属氧化物薄膜.微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域.本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O2反应的研究.

关键词：金属氧化物、栅极电介质材料、薄膜、微电子学、化学气相沉积、原子层沉积

所属期刊栏目：33

分类号：O614(无机化学)

资助基金：美国国家科学基金会CHE-1633870

在线出版日期：2017-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1947-1958