碳化硅衍生碳的制备及其超级电容性能

摘要：

以聚碳硅烷(PCS)为原料,通过不同温度高温热解制备碳化硅(SiC)前驱体,将得到的碳化硅前驱体在1 000℃条件下采用氯气刻蚀,成功制备了碳化硅衍生碳(SiC-CDCs).采用X-射线衍射光谱(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电子显微镜(TEM)和N2吸附-脱附法等表征方法,研究了热解温度对SiC前驱体及SiC-CDCs的物相、形貌、孔结构和分布的影响;并将制备的材料作为超级电容器的电极材料,测试了其电化学性能.结果表明:采用氯气刻蚀聚碳硅烷热解生成的SiC,可以得到具有较高比表面积和亚纳米孔(＜1 nm)的SiC-CDCs;SiC-CDCs用作超级电容器的电极材料,具有较高的比电容且在不同的电流密度下均表现出良好的电容性能.

关键词：聚碳硅烷、热解、氯气刻蚀、碳化硅衍生碳、孔结构、超级电容器

所属期刊栏目：33

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点项目51472186,51402221

在线出版日期：2017-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：853-859