退火温度对CdSe纳米薄膜的形成及光电性能影响

摘要：

在室温下,采用循环伏安法在ITO上沉积CdSe纳米薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见(UV-VIS)分光光度计以及电化学工作站对不同温度退火后的CdSe纳米薄膜的晶体结构、形貌、光学性能、光电化学性能进行表征和测试.结果表明,退火温度对CdSe纳米薄膜的形貌和性能起到关键性作用.薄膜表面平整、厚度均匀,且由呈纳米颗粒状的立方相CdSe构成;经退火后,CdSe纳米颗粒出现不同程度的长大现象,Se含量随退火温度的升高而减少.紫外-可见吸收光谱表明随着退火温度的升高,CdSe纳米薄膜对可见光的吸收发生红移,表明禁带宽度逐渐减小,表现出量子尺寸效应.通过光电流测试表明随着退火温度的升高,CdSe薄膜的光电响应效应显著提高.

关键词：电化学沉积、CdSe纳米薄膜、退火温度、光电响应效应

所属期刊栏目：32

分类号：O613.52;O614.24+2(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金51402209;山西省基础研究项目2015021075;浙江省固态光电器件重点实验室基金2013E100221502;校青年基金2013Z033

在线出版日期：2016-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：589-594