NixCo3-xO4表面修饰对CdSe/TiO2纳米管阵列光电化学氧化水活性的影响

摘要：

利用氨挥发诱导法在CdSe/TiO2纳米管阵列表面负载一层NixCo3-xO4.采用SEM、XRD、XPS、UV-Vis对样品进行表征,通过线性扫描伏安法测定光阳极的释氧电势来评价其光电水氧化活性.结果表明:表面NixCo3-xO4是尖晶石结构；相对于CdSe/TiO2纳米管阵列光阳极,NixCo3-xO4/CdSe/TiO2光阳极能将光电氧化水的过电势降低430 mV.Ni离子的引入使得NixCo3-xO4表面富含三价阳离子(Ni3+,Co3+),从而促进CdSe/TiO2光阳极光电水氧化的进行.

关键词：TiO2纳米管阵列、CdSe、NixCo3-xO4、氨挥发诱导生长、光电水氧化

所属期刊栏目：29

分类号：O611.3(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金51172233;国家重点基础研究发展计划项目9732009CB220002

在线出版日期：2013-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：429-436