V含量对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

摘要：

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氧化锌是一种六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体,其室温下禁带宽度为3.37 eV.它具有多种优良的物理性能,在声表面波[1,2]、透明电极刚、光电材料[5]、蓝光器件[6]等方面都有较大的应用潜力.氧化锌价格低廉,不仅能制成良好的半导体和压电薄膜,亦能够制成良好的透明导电薄膜.理论计算表明[7],氧化锌掺杂V、Cr、Fe、Co、Ni元素能够产生自旋极化,形成高于室温的稀磁性透明半导体,是下一代微电子和光电子领域自旋电子学器件有重要价值的材料之一.根据理论计算,V掺杂的ZnO膜具有最高的居里温度.Vyatkin实验小组[8]用钒离子注入法获得氧化锌磁性膜,Saeki等[9]利用激光脉冲法制备出居里温度高于350 K的钒掺杂铁磁性氧化锌膜.目前钒掺杂氧化锌薄膜光学特性的相关报道较少.本工作采用双靶直流反应磁控共溅射法在玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向生长的V掺杂ZnO薄膜,并研究了V掺杂量对薄膜结构及光学参数的影响.

关键词：ZnO薄膜、V掺杂、直流反应共溅射、光学性质

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分类号：O614.51+1;O614.24+1;O472+.3;TN304.2+1(无机化学)

资助基金：河南省高校杰出科研人才创新工程项目1999-125

在线出版日期：2007-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2247-2252