纳米晶SnO2粉体的合成

摘要：

@@ 纯SnO2为禁带宽度达3.8eV的宽带n-型半导体,当形成氧空位后在禁带内形成ED=-0.15eV的施主能级,向导带提供1015～1018cm-3浓度的电子[1,2].

关键词：纳米粉体、SnO2、合成

所属期刊栏目：19

分类号：O611.62;O614.43+2;TB321(无机化学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999064506

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：641-644