K掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能

摘要：

采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小.1MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善.

关键词：钛酸锶铅、K掺杂、薄膜、Sol-Gel、介电调谐

所属期刊栏目：31

分类号：O484.42(固体物理学)

在线出版日期：2009-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：76-79