用第一性原理计算硅单空位缺陷

摘要：

采用分子动力学模型及共轭梯度,并在局域密度近似下,用密度泛函的方法从头计算了硅单晶的晶格常数、单空位缺陷能等.计算结果表明,在硅单晶中,单空位邻近的硅原子会发生弛豫,使对称性下降;两个单空位有可能形成一个双空位.

关键词：第一性原理、硅、分子动力学模型、弛豫

所属期刊栏目：14

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2005-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4