硫化时间对两步硫化法制备ZnS薄膜性能的影响

摘要：

首先采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Zn薄膜,再先后于200℃和400℃温度下对Zn薄膜进行硫化处理以制备ZnS薄膜,借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计等研究了硫化时间对所制ZnS薄膜性能的影响.结果表明,ZnS为六方晶体结构,在200℃及400℃和硫化时间均为1 h的条件下,所制ZnS薄膜的结晶性、光学性质、S/Zn原子比及组织均匀性最佳.

关键词：ZnS薄膜、磁控溅射、硫化时间、晶体结构、光透过率、S/Zn原子比

所属期刊栏目：45

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金

在线出版日期：2022-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：93-98