LaAlO3/GaAs异质结界面的空穴导电行为分析

摘要：

采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO 3薄膜构成LaAlO 3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO 3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO 3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能.结果表明,LaAlO 3在GaAs表面生长均匀,LaAlO 3/GaAs异质结界面处存在空穴型的导电行为,且该空穴来源于界面处的悬空键效应.

关键词：LaAlO3、GaAs、异质结界面、空穴导电、电输运

所属期刊栏目：41

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11474024

在线出版日期：2018-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：429-433