δ掺杂对磁纳米结构中电子输运性质的影响

摘要：

建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电子的自旋输运性质.结果表明,该磁纳米结构中可实现较显著的自旋极化效应,且δ掺杂的位置及高度均会对其中的电子输运性质产生影响.因此,理论上可以通过控制δ掺杂的位置及高度来获得实际需要的自旋极化强度,有助于新型自旋电子学器件的开发.

关键词：δ掺杂、磁纳米结构、电子输运、自旋极化

所属期刊栏目：41

分类号：O469;O472+.6(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11304236;湖北省自然科学基金资助项目2014CFA121;武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室资助项目Y201701

在线出版日期：2018-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23