硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究

摘要：

以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积 Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1 atm 压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和 S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长；其 ZnS特征吸收边出现在350 nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率；在450℃温度下退火后再于550℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高。

关键词：ZnS薄膜、溅射、蒸发、退火、透光率、晶体结构、硫化反应

所属期刊栏目：39

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：湖北省教育厅科研计划资助项目D20121109

在线出版日期：2016-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：343-347