负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响

摘要：

利用射频磁控溅射法在 n 型 Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN)，采用 AFM、Raman、XPS、FT-IR 等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明，当负偏压为0 V 时，沉积所得 h-BN 薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c 轴垂直于衬底且以层状模式生长；随着负偏压的增加，薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长，表面粗糙度增加，且 h-BN 经亚稳相 E-BN 和 w-BN 向 c-BN 转变，使得 BN 薄膜相系统更加混乱，不利于高质量层状 h-BN 薄膜的获取。

关键词：六方氮化硼、薄膜、沉积、Si 衬底、射频磁控溅射、负偏压、生长模式、粗糙度、相变

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：湖北省自然科学基金资助项目2014CFB798;中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题15 QT02

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：351-356