射频溅射功率和掺杂氢对硅氢薄膜结构的影响

摘要：

采用SEM和Raman谱对射频磁控溅射法制备的硅氢薄膜结构进行了研究,讨论了在100～400 W范围内溅射功率和氢气分压对硅氢薄膜结构的影响.结果表明,制备的硅氢薄膜为致密的颗粒膜,添加氢气后,颗粒状的硅氢薄膜出现了粒径更为细小的纳米级小颗粒亚结构;随着氢气分压的增加,其直径先增加后减小,平均直径在氢气分压为50%时达到最大;随着溅射功率的增加,硅氢薄膜的颗粒平均直径增加,当溅射功率达到400 W时,颗粒的平均直径为104 nm.拉曼光谱分析结果显示硅氢薄膜为非晶态.

关键词：硅氢薄膜、溅射功率、颗粒直径、氢气分压

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分类号：TM914.4+1

资助基金：湖北省教育厅重大科学技术研究资助项目Z20081101;武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷省部共建国家重点实验室培育基地开放基金资助项目082912

在线出版日期：2009-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：383-388