Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响

摘要：

利用X射线衍射和磁化强度测量,研究了Dy1-xSMxMn6Ge6(x=0.2～1.0)化合物的磁性和输运性质.结果表明:x≤0.4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成;0.6≤x≤1.0的样品主要由YCo6Ge6型相构成.样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大,随着Sm含量的增加,样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变.x=0.2,0.4的样品为反铁磁性,其奈尔温度分别为425,430K,并在50K下发生二次磁相转变.x=0.6,0.8,1.0的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响,也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果.

关键词：Dy1-xSmxMn6Ge6、磁性、磁电阻效应

所属期刊栏目：30

分类号：O441.2(电磁学、电动力学)

资助基金：国家重点实验室基金G0601

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：602-605