10.19843/j.cnki.CN42-1779/TQ.202112002
薄层液膜下外加直流电场对Cu/Ag电偶腐蚀行为的影响
为探明薄层液膜下外加直流电场(DCEF)对Cu/Ag电偶腐蚀行为的影响机制,通过开路电位、电化学阻抗谱和极化曲线等电化学测试,并结合表面分析技术,研究了在薄层液膜条件下,外加DCEF中Cu/Ag电偶腐蚀行为.结果表明:外加DCEF后,铜的腐蚀电位明显正移,阴极电流密度和自腐蚀电流密度减小,阻抗增大,这表明了 DCEF减缓了铜的腐蚀速率.与有电场无电流相比,有电流时,铜的腐蚀电位正移,阴极电流密度减小,阻抗略微增大.表明漏电电流能够进一步抑制铜银之间的电偶腐蚀速率,这归因于DCEF负极处的析氢反应使得局部OH-离子浓度的增加,在电场梯度的作用下向电场正极迁移,从而导致电偶腐蚀的阴极过程受到抑制.不同条件下铜和银之间的电偶电流密度大小顺序为:偶合>偶合有电场无电流>偶合有电场有电流,这归因于DCEF降低了铜银的电位差,削弱了铜银之间的电偶腐蚀效应;而漏电电流则加速了电场阴极处因析氢产生的OH-离子向电场正极迁移,导致电偶腐蚀的阴极过程被显著抑制.
直流电场、电偶腐蚀、铜、极化、电化学阻抗谱、薄液膜
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O646.6(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金;湖北省自然科学基金;武汉工程大学研究生教育创新基金项目
2022-08-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
266-273