不同粒径碳化硅粉体的复合烧结与表征

摘要：

以氮化硅为烧结助剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为黏结剂,通过重结晶烧结法制备了纯碳化硅(SiC)陶瓷.采用X射线衍射、扫描电子显微镜和阿基米德定律对产物的结构、形貌和相对密度进行了表征,主要研究了SiC细粉的质量分数对SiC晶粒形貌的影响.结果表明,SiC细粉质量分数的变化对烧结样品的晶粒尺寸与形貌及其相对密度有较大影响.细粉质量分数由0％增加至60％,SiC晶粒的形貌由等轴状晶粒过渡为六方片状晶粒,晶粒尺寸非线性增加,样品的相对密度则呈先增加后降低的趋势,当细粉的质量分数为40％时,SiC陶瓷的相对密度最高.因SiC高温(2000℃以上)蒸发与凝聚的烧结作用,当SiC细粉的质量分数为60％时,重结晶普遍发生,且SiC粗粉晶粒尺寸急剧增大,形成六方片状.

关键词：碳化硅、复合烧结、致密化

所属期刊栏目：42

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：湖北省技术创新专项重大项目;国家自然科学基金;湖北省科技支撑计划;武汉工程大学第十届研究生教育创新基金

在线出版日期：2020-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：298-301