辛基酚的碳化硅@膨胀石墨修饰电极法检测

摘要：

采用气相沉积法在膨胀石墨(EG)层片间生长碳化硅(siC)晶须,制备出复合材料碳化硅@膨胀石墨(SiC@EG),并通过改变气相沉积的温度(分别为1 200℃、1 300℃、1 400℃)制备出不同形貌的SiC@EG.所得材料用扫描电镜和循环伏安法及交流阻抗技术进行表征,结果表明1 300℃下制得的SiC@EG具有较好的电化学性能,将其作为新型修饰电极材料应用于对酚类环境激素的检测,研究了辛基酚在SiC@EG修饰电极上的电化学行为.通过考察辛基酚在SiC@EG修饰电极上氧化行为的影响因素,对实验条件进行了优化.在最优条件下,辛基酚的氧化峰电流和浓度在0.1 μmol/L～10 μmol/L范围内呈现良好的线性关系,检测限达35 nmol/L.

关键词：碳化硅晶须、膨胀石墨、化学修饰电极、辛基酚

所属期刊栏目：39

分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金21275113

在线出版日期：2017-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：113-119,126