大面积金刚石膜生长过程中的缺陷和内应力

摘要：

采用甲烷和氢气作为气源,在直径为50mm的抛光单晶硅片上,利用新型微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置制备出金刚石膜.用扫描电子显微镜观测金刚石膜的表面形貌,利用激光Raman光谱表征金刚石膜的质量以及X射线衍射检测金刚石膜的成分和晶界缺陷.结果表明V(CH4)/V(H2)为1％,基片温度为845℃时,生长金刚石膜的质量较好,并且具有完整的晶体形貌,但是扫描电子显微镜图×5000倍时,观察到金刚石膜中明显的晶体缺陷存在,同时X射线衍射图表明金刚石膜的内应力较大.

关键词：金刚石膜、微波等离子体、化学气相沉积、内应力

所属期刊栏目：34

分类号：O539(等离子体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11175137;武汉工程大学科学研究基金11111051

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41