内建电场对纳构半导体功函数的调制

摘要：

从理论上分析了纳结构半导体内建电场产生条件,以及如何对内建电场进行调制,并通过对内建电场进行调制进而对半导体的功函数进行调制,推导出了内建电场与功函数的简易关系,并进行了模拟计算,为进一步实现介观光电效应,制造介观光电器件提供理论支撑.

关键词：内建电场、异质结、量子阱、功函数、介观光电效应

所属期刊栏目：33

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：中北大学电子测试技术国家重点实验室青年基金资助20102011;中北大学校青年基金

在线出版日期：2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53