基片温度对金刚石厚膜生长的影响

摘要：

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了ф60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在ф60mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜.

关键词：化学气相沉积、金刚石厚膜、微波等离子体

所属期刊栏目：30

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：湖北省科技攻关项目2002AA105A02;湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划

在线出版日期：2008-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：83-86